功能描述：MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP

RoHS：否

类别：分离式半导体产品 >> FET - 单

系列：HTMOS™

标准包装：1,000

系列：MESH OVERLAY™

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：200V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V

功率 - 最大：40W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3 整包

供应商设备封装：TO-220FP

包装：管件

HTNFET-DC

HTNFET-T

HTNFET-TC

HTOP01DC

HTPLREG05TC

HTR 300-SB

HTR_184T-NR

HTR_226T-NR

HTR_233T-NR

HTR_277T-NR